砷化镓衬底

砷化镓（GaAs）是一种性能优良的半导体材料，具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点。我们可提供使用VGF法生长的的1-8英寸的砷化镓衬底，包括半绝缘砷化镓衬底（非掺）和半导体砷化镓衬底（掺Si、掺Zn）。 应用与领域:砷化镓衬底广泛应用于红黄光LED和显示产品中，随着Mini LED、Micro LED的发展， AR/VR领域也 会有越来越多使用砷化镓衬底。以半绝缘砷化镓衬底生产的射频器件，广泛应用于无线通讯领域，包括无线网络(WLAN)、手机通讯、4G/5G基站、卫星通讯、WiFi通讯等。砷化镓太阳能电池板具有更高的转化效率，目前广泛 应用于无人机、太阳能汽车领域等。

砷化镓衬底

砷化镓（GaAs）是一种性能优良的半导体材料，具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点。我们可提供使用VGF法生长的的1-8英寸的砷化镓衬底，包括半绝缘砷化镓衬底（非掺）和半导体砷化镓衬底（掺Si、掺Zn）。 应用与领域:砷化镓衬底广泛应用于红黄光LED和显示产品中，随着Mini LED、Micro LED的发展， AR/VR领域也 会有越来越多使用砷化镓衬底。以半绝缘砷化镓衬底生产的射频器件，广泛应用于无线通讯领域，包括无线网络(WLAN)、手机通讯、4G/5G基站、卫星通讯、WiFi通讯等。砷化镓太阳能电池板具有更高的转化效率，目前广泛 应用于无人机、太阳能汽车领域等。

磷化铟衬底

磷化铟（InP）是重要的III-V族化合物半导体之一，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点。我们可提供使用VGF法生长2-6 英寸磷化铟(InP)衬底，包括半绝缘InP衬底（掺Fe）和半导体InP衬底（掺Si或掺Zn），以及用于特定用途的低位错InP衬底。 应用与领域:磷化铟在光电器件方面具有很好的性能，常被用于制造高速光通信器件，如激光器、光电二极管和光放大器等。此外，磷化铟还可以用来制造高频器件，如太赫兹波段的探测器和射频电子学领域的倍频器等。由于其高的光电转换效率和较好的耐辐照性能，磷化铟被广泛应用于太阳能电池的制造中。磷化铟太阳能电池具有高转换效率照强度变化响应迅速、光谱响应范围广等势，能够在弱光条件下保持较高的效能，在太阳能电池的应用中具有重要的地位。

磷化铟衬底

磷化铟（InP）是重要的III-V族化合物半导体之一，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点。我们可提供使用VGF法生长2-6 英寸磷化铟(InP)衬底，包括半绝缘InP衬底（掺Fe）和半导体InP衬底（掺Si或掺Zn），以及用于特定用途的低位错InP衬底。 应用与领域:磷化铟在光电器件方面具有很好的性能，常被用于制造高速光通信器件，如激光器、光电二极管和光放大器等。此外，磷化铟还可以用来制造高频器件，如太赫兹波段的探测器和射频电子学领域的倍频器等。由于其高的光电转换效率和较好的耐辐照性能，磷化铟被广泛应用于太阳能电池的制造中。磷化铟太阳能电池具有高转换效率照强度变化响应迅速、光谱响应范围广等势，能够在弱光条件下保持较高的效能，在太阳能电池的应用中具有重要的地位。

锗衬底

锗单晶片是重要的半导体衬底材料，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等。我们可提供直径为2-8英寸的低位错或零位错锗（Ge）衬底，其电阻率在0.005 Ω?cm～50Ω?cm范围。 应用与领域：高质量的衬底主要被用于聚光光伏电站（CPV）、空间太阳能电池板和超高亮度LED等领域。锗基太阳能电池具有空间抗辐射、耐高温、高光电转换效率等特点，在人造卫星、太空站、太空探测器和登陆探测器等应用领域具有很强的优势，可有效提高太阳能电池的寿命，进而延长人造卫星的工作寿命。

锗衬底

锗单晶片是重要的半导体衬底材料，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等。我们可提供直径为2-8英寸的低位错或零位错锗（Ge）衬底，其电阻率在0.005 Ω•cm～50Ω•cm范围。 应用与领域：高质量的衬底主要被用于聚光光伏电站（CPV）、空间太阳能电池板和超高亮度LED等领域。锗基太阳能电池具有空间抗辐射、耐高温、高光电转换效率等特点，在人造卫星、太空站、太空探测器和登陆探测器等应用领域具有很强的优势，可有效提高太阳能电池的寿命，进而延长人造卫星的工作寿命。

蓝宝石衬底

我们全面引进吸收原Honeywell衬底切割、磨抛和检测技术，拥有成熟的2、4、6、8寸蓝宝石衬底加工工艺，是国内领先的可以批量生产高品质、大尺寸蓝宝石衬底的企业。

蓝宝石衬底

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